Samsung V-NAND prelazi granicu od 400 slojeva uz 25% manju potrošnju

Nova Samsung V-NAND generacija memorija V10 po prvi u industriji prelazi 400 slojeva, uz 58% veću gustinu pakovanja, 33% brži I/O i 25% manju potrošnju energije The post Samsung V-NAND prelazi granicu od 400 slojeva uz 25% manju potrošnju first appeared on Benchmark.